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Drahtbonden

Es stehen zwei verschiedene Drahtbondprozesse zur Verfügung:

Zum einen das Golddrahtbonden. Hier können auf kleinstem Raum und mit sehr engem Bondpad-Abstand Chips kontaktiert werden. Der Standard Drahtdurchmesser beträgt 25µm, kann aber von 17,7 … 50µm variieren. Dies ist abhängig vom Pad-Abstand und von der benötigten Gesamtleistung des Halbleiters.

Zum anderen das Aluminium Drahtbonden. Dieses wiederum kann bei Raumtemperatur durchgeführt werden. Es kommt dann zum Einsatz, wenn das Produkt nicht auf 120°C erwärmt werden darf oder kann. Weiterhin ist der Bondbereich und die Höhendifferenzen variabler als beim bereits beschriebenen Golddrahtbonden.